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ES29DS320ET-90RTGI 参数 Datasheet PDF下载

ES29DS320ET-90RTGI图片预览
型号: ES29DS320ET-90RTGI
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内容描述: 为4Mbit ( 512Kx 8 / 256K ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存 [4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 51 页 / 679 K
品牌: EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
表3.前引导扇区地址( ES29LV400ET )
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
扇区地址
A17~A12
000XXX
001XXX
010XXX
011XXX
100XXX
101XXX
110XXX
1110XX
111100
111101
11111X
扇区大小
(千字节/千字)
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
32/16
8/4
8/4
16/8
(X8)
地址范围
00000h~0FFFFh
10000h~1FFFFh
20000h~2FFFFh
30000h~3FFFFh
40000h~4FFFFh
50000h~5FFFFh
60000h~6FFFFh
70000h~77FFFh
78000h~79FFFh
7A000h~7BFFFh
7C000h~7FFFFh
(X16)
地址范围
00000h~07FFFh
08000h~0FFFFh
10000h~17FFFh
18000h~1FFFFh
20000h~27FFFh
28000h~2FFFFh
30000h~37FFFh
38000h~3BFFFh
3C000h~3CFFFh
备注
主业
引导扇区
3D000h~3DFFFh
3E000h~3FFFFh
注意:
地址范围为A17 : A- 1字节模式( BYTE # = V
IL
)或A17 : A0字模式( BYTE # = V
IH
).
表4.底部引导扇区地址( ES29LV400EB )
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
扇区地址
A17~A12
00000X
000010
000011
0001XX
001XXX
010XXX
011XXX
100XXX
101XXX
110XXX
111XXX
扇区大小
(千字节/千字)
16/8
8/4
8/4
32/16
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
(X8)
地址范围
00000h~03FFFh
04000h~05FFFh
06000h~07FFFh
08000h~0FFFFh
10000h~1FFFFh
20000h~2FFFFh
30000h~3FFFFh
40000h~4FFFFh
50000h~5FFFFh
60000h~6FFFFh
70000h~7FFFFh
(X16)
地址范围
00000h~01FFFh
02000h~02FFFh
引导扇区
03000h~03FFFh
04000h~07FFFh
08000h~0FFFFh
10000h~17FFFh
18000h~1FFFFh
20000h~27FFFh
28000h~2FFFFh
30000h~37FFFh
38000h~3FFFFh
主业
备注
注意:
地址范围为A17 : A- 1字节模式( BYTE # = V
IL
)或A17 : A0字模式( BYTE # = V
IH
).
ES29LV400E
11
2006年Rev.0B 1月5日,