（E S）我
I
ES
Excel的半导体公司。
命令德网络nitions
表5. ES29LV400命令定义
命令
顺序
（注1 ）
阅读（注6 ）
复位（注7 ）
制造商ID
字
字节
字
字节
字
字节
字
字节
字
字节
字
字节
周期
总线周期（注2-5）
第一次
ADDR
RA
XXX
555
AAA
555
AAA
555
AAA
555
AAA
555
AAA
555
AAA
XXX
XXX
555
AAA
555
AAA
XXX
XXX
数据
RD
F0
AA
2AA
555
2AA
555
2AA
555
2AA
555
2AA
555
2AA
555
PA
XXX
2AA
555
2AA
555
55
555
AAA
555
AAA
555
AAA
555
AAA
555
AAA
555
AAA
90
X00
X01
X02
X01
X02
(SA)X02
(SA)X04
PA
4A
第二
ADDR
数据
第三
ADDR
数据
第四
ADDR
数据
科幻FTH
ADDR
数据
第六
ADDR
数据
1
1
4
自选（注8 ）
设备ID （上）
4
AA
55
90
B9
设备ID （下）
部门保护验证
（注9 ）
4
AA
55
90
BA
4
AA
55
90
00/01
节目
4
AA
55
A0
PD
解锁绕道
解锁绕道程序（注10 ）
解锁绕道复位（注11 ）
芯片擦除
3
2
2
AA
A0
90
AA
55
PD
00
55
20
字
字节
字
字节
6
555
AAA
555
AAA
80
555
AAA
555
AAA
AA
2AA
555
2AA
555
55
555
AAA
SA
10
扇区擦除
擦除挂起（注12 ）
删除恢复（注13 ）
6
1
1
AA
B0
30
55
80
AA
55
30
图例：
X =无关
要读取的RA =地址的存储单元。
从位置RA读RD =数据读取操作期间，
PA =地址的存储单元进行编程。
地址锁存器上的WE＃或CE ＃脉冲的下降沿，
以较迟者为准发生。
PD =数据到位置PA进行编程。数据锁存器的
上升WE＃或CE ＃脉冲的边缘，先发生者为准。
SA =地址的扇区进行验证（在自动选择模式）或
删除。地址位A17 - A12唯一选择任何行业。
注意事项：
1.请参阅表1的总线操作的描述。
2.所有值均为十六进制。
3.除读周期和自动选择的第四个周期
命令序列，所有的总线周期是写周期。
4.数据位DQ15 - DQ8是不在乎的命令序列，
除了研发和PD
5.除非另有说明，地址位A17 -A11是不关心。
6.要求没有解锁或命令周期，当设备处于
阅读模式。
7.复位命令需要返回到读模式
（或到在擦除擦除暂停阅读的模式下，如果以前
暂停）当设备处于自动选择模式，或者如果DQ5
变高（当设备提供状态信息）。
8.自动选择命令序列的第四循环
是一个读周期。数据位DQ15 - DQ8都不在乎。见
有关更多信息，自动选择命令序列部分。
9.数据为00h的未受保护的部门和01H的
受保护的部门。
前Unlock- 10.解锁绕道命令是必需的
绕道程序命令。
11.解锁绕道复位命令要求返回
到读模式时，该设备处于解锁旁路
模式。
12.系统可以读取和编程在非擦除扇区
或进入自选模式，在擦除时挂起
模式。擦除挂起命令只有在有效
一个扇区擦除操作。
13.删除恢复命令仅在擦除是有效的
挂起模式。
ES29LV400E
15
2006年Rev.0B 1月5日，
EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
