（E S）我
I
ES
先进的信息
Excel的半导体公司。
读状态寄存器（ RDSR ）
读状态寄存器（ RDSR ）指令允许
状态寄存器进行读取。状态寄存器
可以随时读取，即使是在一个程序，
擦除或写状态寄存器周期正在进行中。
当这些周期中的一个过程中，它是中建议
谁料想检查写在制品（WIP ）位
之前发送一个新的指令给设备。这是
也可以读状态寄存器continu-
ously ，如图6 。
的状态寄存器的状态和控制位
如下：
WIP位
写在制品（WIP ）位表示是否
内存忙于写状态寄存器，
编程或擦除周期。该位是只读位
并通过执行RDSR指令读取。如果这
位是1，这样的循环过程中，如果是0，则没有这样的
周期正在进行中。
WEL位
写使能锁存器（ WEL ）位表明台站
内部写的土族使能锁存器。当设置为1 ，
内部写使能锁存器被置位;当设置为0时，
内部写使能锁存器复位，并没有写
状态寄存器，编程或擦除指令
接受的。
BP2 ， BP1 ， BP0位
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位非VOL-
atile 。它们定义了区域的大小是软件
防止编程和擦除指令。
这些位写的写状态寄存器
（ WRSR ）指令。当一个或两个块的
保护（ BP2 ，BP1，BP0 ）位被设置为1 ，相关
存储区（如表1中所定义的）变为亲
对页编程（ PP ）和部门tected
擦除（ SE ）指令。块保护（ BP2 ，
BP1 ， BP0 ）位可以提供写的
硬件保护模式没有被设置。该
如果批量擦除（ BE ）指令被执行，并且仅
如果，所有的块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位为0 。
SRWD位
状态寄存器写禁止（ SRWD ）位
结合操作与写保护（ W＃ ）
信号。状态寄存器写禁止（ SRWD ）
位和写保护（ W＃ ）信号允许该设备
放于硬件保护模式时（当
状态寄存器写禁止（ SRWD ）位设置为1 ，
和写保护（ W＃ ）被驱动为低电平） 。在这种模式下，
的状态寄存器的非易失位（ SRWD ，
BP2 ， BP1 ， BP0 ）变为只读位，
写状态寄存器（ WRSR ）指令不
不再接受执行。
CS ＃
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
SCK
指令
SI
0
0
0
0
0
1
0
1
状态寄存器输出
SO
高阻抗
7
6
5
4
3
2
1
0
7
状态寄存器输出
6
5
4
3
2
1
0
最高位
最高位
图6.读状态寄存器（ RDSR ）指令序列
ES25P40
12
牧师0D 2006年5月11日
EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
