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ES35P40-75IG2T 参数 Datasheet PDF下载

ES35P40-75IG2T图片预览
型号: ES35P40-75IG2T
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内容描述: 4Mbit的CMOS 3.0伏闪存为75Mhz SPI总线接口 [4Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 75Mhz SPI Bus Interface]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 35 页 / 435 K
品牌: EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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(E S)我
I
ES
先进的信息
Excel的半导体公司。
b7
b6
b5
b4
b3
b2
b1
b0
SRWD
0
0
BP2
BP1
BP0
WEL
WIP
状态寄存器写禁止
块保护位
写使能锁存位
写正在进行位
图7.状态寄存器的格式
写状态寄存器( WRSR )
写状态寄存器( WRSR )指令
允许新的值写入到状态雷吉斯 -
之三。才可以被接受,一个写使能
( WREN)指令必须预先已
执行。写使能( WREN )指令后
灰被译码和执行,该设备
设置写使能锁存器( WEL ) 。
写状态寄存器( WRSR )指令
通过驱动芯片选择( CS # )低输入,然后
由指令码和串行数据字节
数据输入( SI ) 。
该指令序列示于图8中。
写状态寄存器( WRSR )指令
对位B6 , B5 , B1中的地位和B0无影响
注册。比特B6 ,总是读B5为0 。
片选信号( CS # )后,必须驱动为高电平
数据字节的第8位被锁存。如果
没有,写状态寄存器( WRSR )指令
不执行。
当片选( CS # )驱动为高电平时,
自定时写状态寄存器周期(其持续时间
灰为t
w
)被启动。虽然写状态雷吉斯 -
之三周期正在进行中,状态寄存器可能仍
读来检查写在进步的价值
( WIP )位。写在制品(WIP )位为1能很好地协同
荷兰国际集团自定时写状态寄存器周期,
是0时,它被完成。在某个不确定的时间
该循环完成之前,写使能
锁存器( WEL )复位。
写状态寄存器( WRSR )指令
允许用户更改块的值
保护( BP2 , BP1 , BP0 )位,定义的大小
即区域被处理为只读,如
在表1中写状态寄存器定义
( WRSR )指令还允许用户设置或
复位状态寄存器写禁止( SRWD )位
根据该写保护( W# )信号。
状态寄存器写禁止( SRWD )位和
写保护( W# )信号允许该设备被放
在硬件保护模式( HPM ) 。写
状态寄存器( WRSR )指令无法使用此
cuted一旦硬件保护模式( HPM )是
输入。
CS #
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
SCK
指令
SI
0
0
0
0
0
0
0
1
状态寄存器在
7
6
5
4
3
2
1
0
最高位
SO
高阻抗
图8.写状态寄存器( WRSR )指令序列
ES25P40
13
牧师0D 2006年5月11日