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    FDC638P 参数 Datasheet PDF下载

    FDC638P图片预览
    型号： FDC638P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET [P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 9 页 / 241 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第9页  
    典型电气特性
    20
    - I
    D
    ，漏源电流（A ）
    1.6
    -3.0V
    R
    DS （ ON）
    归一化
    16
    漏源导通电阻
    V
    GS
    = -4.5V
    - 2.5V
    V
    GS
    = -2.5V
    1.4
    12
    -3.0V
    1.2
    -3.5V
    -4.0V
    -4.5V
    8
    - 2.0V
    1
    4
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    -V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    0.8
    0
    5
    10
    - 我，漏极电流（ A）
    D
    15
    20
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压。
    1.6
    漏源导通电阻
    0.15
    R
    DS （ ON）
    归一化
    1.4
    I
    D
    = -4.5A
    V
    GS
    = -4.5V
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    I
    D
    = -2.0A
    0.12
    1.2
    0.09
    1
    0.06
    A
    T = 125°C
    0.8
    0.03
    25°C
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    - V
    GS
    ，门源电压（ V）
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图3.导通电阻变化
    与温度。
    图4.导通电阻与变异
    栅极 - 源极电压。
    20
    V
    DS
    = -5V
    - I
    D
    ，漏电流（ A）
    16
    T = -55°C
    J
    25°C
    125°C
    - 我，反向漏电流（ A）
    20
    10
    V
    GS
    = 0V
    T = 125°C
    J
    1
    12
    25°C
    -55°C
    0.1
    8
    4
    0.01
    0
    0
    0.8
    1.6
    2.4
    3.2
    4
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    S
    0.001
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    1.4
    -V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图5.Transfer特点。
    图6.体二极管正向电压
    变化与源电流
    和温度。
    FDC638P Rev.B的

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