CMP1617BAx-E
特点
•
工艺技术：全CMOS
•组织： 1M ×16
•电源电压： 2.7 〜 3.3V
•低功耗&页模式
CMP1617BX1 ：支持PASR / MRS DPD功能
CMP1617BX2 ：支持直接DPD功能
CMP1617BX4 ：支持PASR / MRS DPD /页功能
CMP1617BX5 ：支持直接DPD /页功能
CMOS LPRAM
1M ×16位超低功耗和低电压全CMOS RAM
•三态输出与TTL兼容
•封装类型： 48 - FBGA - 6.00x8.00毫米
2
•独立的I / O电源（ VCCQ ） &酷睿电源（VCC ）
•页面的读/写16字操作
（ CMP1617BA4 ， CMP1617BA5 ）
• DPD通过MRS唯一模式
（ CMP1617BA1 ， CMP1617BA4 ）
•直接DPD模式时/ ZZ变低
（ CMP1617BA2 ， CMP1617BA5 ）
产品系列
操作
温度
操作
电压（V）的
速度
分钟。典型值。马克斯。
CMP1617BAx-F60E
CMP1617BAx-F70E
EXTENDED
(-25~85’C)
60ns
70ns
典型值。
1.5mA
功耗
ICC1
F = 1MHz的
马克斯。
3mA
ICC2
F =最大频率
典型值。
15mA
12mA
马克斯。
25mA
ISB1
（ CMOS待机
电流）
典型值。
50uA
马克斯。
100uA
产品系列
2.7
3.0
3.3
1.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在Vcc = VCC （典型值）和T测
A
= 25C.
2.
F = FBGA ，G = FBGA （无铅） ， H = FBGA （无铅
&无卤）
W = WAFER
引脚说明
1
2
3
4
5
6
功能框图
预充电电路。
A
B
C
D
E
F
G
H
/磅
I/O9
/ OE
/ UB
A0
A3
A1
A4
A2
/ CS
/ZZ
I/O1
CLK GEN 。
VCC
VSS
存储阵列
I/O10
VSS
I/O11
I/O12
A5
A17
A6
A7
A16
I/O2
I/O4
I/O5
I/O3
VCC
VSS
ROW
地址
ROW
SELECT
VCCQ
I/O15
I/O16
A18
I/O13
I/O14
A19
A8
DNU
A14
A12
A9
A15
A13
A10
I/O6
I/O7
I/O8
I/O1~I/O8
数据
CONT
I / O电路
列选择
WE
A11
NC
I/O9~I/O16
数据
CONT
48 - FBGA ：俯视图（球下）
名字
/ZZ
/ CS
/ OE
/ WE
A0~A19
I/O1~I/O16
NC
功能
低功耗模式
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
无连接
名字
VCC
VCCQ
VSS
/ UB
/磅
DNU
功能
核心动力
I / O电源
地
高字节（ I / O9 〜 16 ）
低字节（ I / O 1 〜 8 ）
不要使用
/ CS
/ OE
/ WE
/ UB
/磅
/ZZ
控制逻辑
数据
CONT
列地址
2
修订版0.5
2006年7月
FIDELIX [ FIDELIX ]
