FPD1500DFN
数据手册V3.0
T
YPICAL
我-V ç
极特
:
直流IV曲线FPD750SOT89
直流IV曲线FPD1500DFN
0.30
0.25
漏源电流(A )
0.20
0.15
0.10
VG=-1.50
VG=-1.25V
VG=-1.00V
VG=-0.75V
VG=-0.50V
VG=-0.25V
VG=0V
0.05
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
漏源极电压( V)
注意:测量我的推荐方法
DSS
或任何特定本人
DS
,是设置漏源电压(V
DS
)
在1.3V 。该测定点避免了发病寄生自激振荡的,这通常扭曲
电流测量(该效果已被过滤的,从上面给出的IV曲线) 。设置V
DS
> 1.3V
通常会导致在当前测量中的误差,即使在稳定化电路。
建议:传统设备的I
DSS
评级(我
DS
在V
GS
= 0V )作为射频功率的预测值,并
对于MESFET的有我之间的相关性
DSS
和P
1dB
(功率1分贝增益压缩) 。对于pHEMTs它可以
显示有
no
我的有意义的统计相关性
DSS
和P
1dB
;具体的线性回归
分析显示为R
2
< 0.7 ,回归失败的F统计检验。我
DSS
有时为电路中的导有用
调谐,因为S
22
不随静态工作点我
DS
.
5
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