FPD2000AS 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FPD2000AS
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内容描述：	PACKAGED 2W功率PHEMT [2W PACKAGED POWER PHEMT]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 281 K
品牌：	FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]

初步

FPD2000AS

2W P

包装运输

OWER P

HEMT

•

偏置指南

有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化

温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。

这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，

否则的pHEMT可被诱导以自振荡。请联系您的销售代表

附加信息。

双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负

电压源为耗尽型器件，如FPD2000AS 。

自偏置电路采用的RF -旁路源电阻，以提供负栅 - 源极

偏置电压，并且这些电路提供一些的温度稳定的设备。标称

值电路的发展是1.43

Ω

对于推荐的200mA工作点。这

方法将需要直流电源电阻器能够至少200mW的功耗的。

推荐350毫安偏置点名义上是AB类模式。少量的RF增益

膨胀压缩的发作之前是正常的运行点。

•

包装外形

（尺寸以毫米为单位 - 毫米）

包装标识代码

例如：

f1ZD

P2F

=费尔多尼克

1ZD =批号和日期代码

P2F =状态，部分代码，部件类型

改变所有的信息和规格，恕不另行通知。

电话：

+1 408 850-5790

传真：

+1 408 850-5766

HTTP ： //

www.filcs.com

修改后：

05/03/04

电子邮件：

sales@filcsi.com

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