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LPD200SOT343 参数 Datasheet PDF下载

LPD200SOT343图片预览
型号: LPD200SOT343
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内容描述: 封装的高动态范围PHEMT [PACKAGED HIGH DYNAMIC RANGE PHEMT]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 71 K
品牌: FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号LPD200SOT343的Datasheet PDF文件第1页  
初步数据表
LPD200SOT343
P
包装运输
H
室内运动场
D
YNAMIC
R
ANGE
pHEMT制
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
测试条件
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
-65
最大
7
-3
I
DSS
5
60
175
175
单位
V
V
mA
mA
mW
ºC
ºC
注:超过绝对最大额定值可能会导致永久性的,即使暂时的工作条件
损坏设备。
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电(ESD )预防措施应储存的各个阶段进行观察,搬运,装配和
测试。这些装置应被视为1A类( 0-500 Ⅴ) 。在ESD控制的更多信息
措施可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。
应用说明&设计数据
应用笔记,可以从当地的费尔多尼克销售代表或直接从
工厂。完整的设计数据,包括S参数,噪声数据,信号和大信号模型
可在费尔多尼克网站。
包装外形
(单位:mm )
来源
来源
所有信息和规格如有变更,恕不另行通知。
电话:
(408) 988-1845
传真:
(408) 970-9950
HTTP : //
www.filss.com
修改后:
2/09/01
电子邮件:
sales@filss.com