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MRFE6S9060NR1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MRFE6S9060NR1
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内容描述: 射频功率场效应晶体管N沟道增强模式横向MOSFET [RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小: 15 页 / 575 K
品牌: FREESCALE [ Freescale ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS  
0
−10  
−20  
−30  
−40  
−50  
−60  
−70  
−80  
V
= 28 Vdc, P = 60 W (PEP)  
out  
= 450 mA, Two−Tone Measurements  
DD  
V
= 28 Vdc, I = 450 mA  
DQ  
DD  
I
DQ  
−10  
−20  
−30  
−40  
−50  
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz  
Two−Tone Measurements  
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 880 MHz  
IM3−U  
IM3−L  
IM5−U  
3rd Order  
5th Order  
IM5−L  
IM7−U  
IM7−L  
−60  
−70  
7th Order  
1
10  
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP  
100  
200  
0.1  
1
10  
80  
P
TWO−TONE SPACING (MHz)  
out  
Figure 7. Intermodulation Distortion Products  
versus Output Power  
Figure 8. Intermodulation Distortion Products  
versus Tone Spacing  
58  
Ideal  
P6dB = 51.31 dBm (135.21 W)  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
P3dB = 50.39 dBm (109.4 W)  
P1dB = 49.41 dBm  
(87.3 W)  
Actual  
= 28 Vdc, I = 450 mA  
V
DD  
DQ  
Pulsed CW, 12 μsec(on)  
1% Duty Cycle, f = 880 MHz  
49  
48  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
37  
P , INPUT POWER (dBm)  
in  
Figure 9. Pulsed CW Output Power versus  
Input Power  
−15  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
V
= 28 Vdc, I = 450 mA  
DQ  
DD  
T = −30_C  
−20  
−25  
−30  
−35  
−40  
−45  
C
f = 880 MHz, N−CDMA IS−95  
Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes  
8 Through 13  
25_C  
85_C  
−30_C  
25_C  
−30_C  
−50  
−55  
−60  
−65  
−70  
−75  
−80  
30  
25  
20  
85_C  
−30_C  
ACPR  
G
ps  
15  
10  
5
85_C  
η
D
25_C  
ALT1  
0
1
10  
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.  
100  
P
out  
Figure 10. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power Gain  
and Drain Efficiency versus Output Power  
MRFE6S9060NR1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
7