FL灰
开始
0
FACCERR ？
清除错误
写FCDIV
(1)
(1)
只需要一次
复位后。
写FLASH
缓冲地址和数据
写命令FCMD
写1 FCBEF
要启动命令
并清除FCBEF
(2)
是的
(2)
等待至少四个总线周期之前
检查FCBEF或FCCF 。
FPVIO或
FACCERR ？
NO
0
FCCF ？
1
DONE
出错退出
图4-2 。 FLASH编程和擦除流程图
4.4.4
爆程序执行
突发编程命令用于设置数据的字节顺序在更短的时间比是
使用标准编程命令需要。这是可能的，因为高电压到FLASH
数组不需要的程序操作之间被禁用。通常情况下，编程或擦除时，
命令发出后，与Flash相关的内部电荷泵必须启用
提供高电压的阵列。根据该命令的完成时，电荷泵被断开。当
一个突发编程命令发出后，电荷泵启用，然后完成后保持启用
突发编程操作，如果以下两个条件都满足：
1.下一个突发编程命令已排队等待当前程序操作有
完成。
2.下一个连续地址选择相同的物理行一个字节的当前字节是
编程。 FLASH存储器的一行包括64个字节。一排中的一个字节选择
地址A5到A0 。当通过A0地址A5均为零一个新行开始。
一系列的连续字节的网络连接第一个字节被编程在突发模式将相同量的
的时间进行编程以在标准模式下设定的一个字节。后续字节将在突发编程
MC9S08GB / GT数据手册，修订版2.3
飞思卡尔半导体公司
49
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
