FL灰
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写内部FLASH时钟频率之前， FLASH地址已经设置了写
FCDIV寄存器
写入FLASH地址，而FCBEF没有设置（新的命令无法启动，直到
命令缓冲区是空的）。
发射前一个命令之前写第二次到FLASH地址（只有
一个写入到FLASH的每一个命令。 ）
发射前一个命令之前写第二次FCMD （只有一个写
到FCMD的每一个命令。 ）
写入flash地址后写入任何Flash控制寄存器不是FCMD其他
写作不是网络以外的任何命令代码已经允许代码（$ 05， 20元， 25元， 40元，美元41）
FCMD
访问（读或写）的任何FLASH控制寄存器比写其他FSTAT （清
FCBEF并发起命令）写入命令FCMD后
该MCU进入停止模式时编程或擦除命令执行过程中（该命令是
中止）。
写字节编程，突发编程或擦除页命令代码（ 20元， 25元，或40美元）与
背景调试命令而MCU是安全的（背景调试控制器
只做空白支票和整体擦除命令时， MCU是安全的。 ）
写0到FCBEF取消部分命令
4.4.6
FLASH块保护
块保护防止在指定地址的FLASH存储器单元的编程或擦除的变化
范围内。在FLASH中的任何块保护的整体擦除被禁用。该MC9S08GB / GT允许块
的存储器，在闪存的结束，和/或整个闪存将被块保护。一个禁止
控制比特和3比特的控制网络连接视场，允许设置该块的大小的用户。一个单独的控制位允许
块保护整个闪存阵列。所有这七个控制位分别位于
FPROT寄存器（见
复位时，高页寄存器（ FPROT ）被装入NVPROT位置，这是内容
FLASH存储器的非易失性寄存器块。在FPROT的值不能直接改变
从应用软件，使失控的程序不能改变块保护设置。如果最后的512
闪光的字节，其包括寄存器被保护的NVPROT ，应用程序不能改变
块保护设置（有意或无意） 。该FPROT控制位可写的
后台调试命令允许的方式删除受保护的FLASH存储器。
一个用于块保护是阻止保护的FLASH内存区域的bootloader程序。这
引导程序就可以用来擦除FLASH存储器的休息和重新编程。因为
是受保护的引导加载器，它保持不变，即使MCU电源中断中擦除的中部和
编程操作。
MC9S08GB / GT数据手册，修订版2.3
飞思卡尔半导体公司
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FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
