电气特性
表20.闪存特性
C
D
D
D
D
P
P
P
P
D
D
C
C
1
2
3
4
特征
电源电压编程/擦除
-40 ° C至85°C
电源电压为读操作
内部FCLK频率
1
内部FCLK周期（1 / FCLK ）
字节编程时间（任意位置）
2
字节编程时间（突发模式）
2
页擦除时间
2
整体擦除时间
2
字节编程电流
3
页擦除电流
编程/擦除次数
4
T
L
给T
H
= -40 ° C至+ 85°C
中T = 25℃
数据保留
5
符号
V
程序/擦除
V
读
f
FCLK
t
fcyc
t
PROG
t
BURST
t
页面
t
块
RI
DDBP
RI
DDPE
民
1.8
1.8
150
5
典型
最大
3.6
3.6
200
6.67
单位
V
V
千赫
s
t
fcyc
t
fcyc
t
fcyc
t
fcyc
9
4
4000
20,000
—
—
10,000
4
6
—
100,000
100
—
—
—
—
—
mA
mA
周期
岁月
t
D_ret
15
5
该时钟的频率是通过软件设置来控制。
这些值是硬件的状态机来控制。用户代码并不需要计算周期。提供该信息
计算进行编程和擦除大致时间。
编程和擦除电流附加在标准来看，我
DD
。这些值是在室温下测得的
随着V
DD
= 3.0 V，总线频率= 4.0兆赫。
典型的耐力FLASH
该产品系列的9S12Dx64评价。有关如何附加信息
飞思卡尔德网络NES典型的耐力，请参见工程公告EB619 ，
典型的耐力非易失性
内存。
典型的数据保留
值是基于该技术在高温下测得的固有能力和降额
到25C使用Arrhenius方程。有关Freescale定义的数据保留，请其他信息
参见工程公告EB618 ，
典型数据保留的非易失性存储器。
3.15
EMC性能
电磁兼容性（EMC）的性能高度依赖于环境，其中
MCU所在。电路板的设计和布局，电路拓扑的选择，地点和外部特征
组件以及MCU软件的操作，都在EMC性能有显着的作用。该
系统设计人员应咨询飞思卡尔应用笔记，如AN2321 ， AN1050 ， AN1263 ，
AN2764和AN1259的建议和指导，具体来说针对优化的EMC性能。
3.15.1
辐射发射
微控制器的射频辐射排放量从150 kHz至1 GHz的测量使用TEM / GTEM细胞
方法中按照IEC 61967-2和SAE J1752 / 3标准。执行测量
与在运行专门的EMC测试安装在一个定制的EMC评估电路板微控制器
软件。从微控制器的电磁辐射测量的TEM细胞两种封装
方向（北部和东部） 。
MC9S08LL16系列MCU数据手册，第6
40
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
