功耗
表4. MPC860热阻数据
等级
复合模具厚度
结到环境
1
环境
符号
ZP
MPC860P
0.85
ZQ / VR
MPC860P
1.15
34
22
27
18
13
8
2
单位
mm
° C / W
自然对流
单层电路板（ 1S）
四层板（ 2S2P ）
R
θJA
2
R
θJMA
3
R
θJMA
R
θJMA
R
θJB
R
θJC
34
22
27
18
14
6
2
空气溢流（200英尺/分钟）
单层电路板（ 1S）
四层板（ 2S2P ）
结对板
结到外壳
5
4
结至封装顶部
1
6
自然对流
Ψ
JT
2
3
4
5
6
结温是在芯片功耗的功能，封装热阻，安装位置（板）
温度，环境温度，空气溢流外，其它元件在电路板的功耗和电路板热
性。
每SEMI G38-87和JEDEC JESD51-2与单层板的水平。
根据JEDEC JESD51-6与董事会的水平。
模具和根据JEDEC JESD51-8所述印刷电路板之间的热阻。电路板温度测量
在电路板上封装附近的顶表面上。
表示模头与壳体顶面之间的平均热电阻通过冷板测
方法（ MIL SPEC - 883方法1012.1 ）与用于外壳温度冷板温度。对于裸露焊盘
包，其中所述垫预计将被焊接，结到外壳的热阻是从模拟值
交界处的裸露焊盘不接触电阻。
指示该包顶部和连接处之间的温差热特性参数
温度每JEDEC JESD51-2 。
5
功耗
表5.功耗（P
D
)
裸片修订
D.4
（1： 1模式）
D.4
（ 2 ： 1模式）
1
2
提供功耗信息。该模式是1： 1，其中， CPU和总线速度是相等的，和2 ：1，
其中， CPU频率为两倍的总线速度。
频率（MHz）
50
66
66
80
典型
656
待定
722
851
1
最大
735
待定
762
909
2
单位
mW
mW
mW
mW
典型功耗测量为3.3 V.
最大功耗测量为3.5 V.
记
价值观
代表V
DDL
基于功耗，不包括I / O
功耗比V
DDH
。 I / O功耗由应用程序差别很大
由于缓冲器的电流，这取决于外部电路。
MPC860系列硬件规格，版本7
飞思卡尔半导体公司
7
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
