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    MRF186 参数 Datasheet PDF下载

    MRF186图片预览
    型号： MRF186
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    内容描述： 射频MOSFET线RF功率场效应晶体管沟道增强模式横向MOSFET [The RF MOSFET Line RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
    文件页数/大小： 8 页 / 517 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号MRF186的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MRF186的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MRF186的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MRF186的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MRF186的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MRF186的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MRF186的Datasheet PDF文件第8页  
    存档的飞思卡尔半导体公司。 2005年
    F = 960 MHz的
    Z
    in
    930兆赫
    930兆赫
    Z
    OL
    *
    F = 960 MHz的
    Z
    o
    = 20
    Ω
    存档的2005年
    V
    CC
    = 28 V，I
    DQ
    = 2
    f
    兆赫
    930
    945
    960
    Z
    in
    Z
    in
    Ω
    400毫安，P
    OUT
    = 120瓦特PEP
    Z
    OL
    *
    Ω
    4.3 + j1.2
    4.3 + j1.0
    4.3 + j0.9
    2.5 + j6.9
    2.5 + j7.0
    2.2 + j7.1
    =源阻抗的复共轭。
    最佳负载阻抗的共轭
    一个给定的输出功率，电压，IMD，偏置电流
    效率和频率。
    Z
    OL
    * =
    注： ž
    OL
    *基于增益，输出之间的权衡被选中
    电力，排水效率和互调性能。
    示出的阻抗表示单个信道
    （1/2 MRF186 ）的阻抗测量。
    图12.系列等效输入和输出阻抗
    MRF186
    6
    摩托罗拉RF设备数据
    存档的2005年

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