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MRF21180 参数 Datasheet PDF下载

MRF21180图片预览
型号: MRF21180
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内容描述: 射频功率场效应晶体管 [RF Power Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小: 12 页 / 333 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
(续)
特征
功能测试
(1)
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)
(续)
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电,P
OUT
= 170 W,I
DQ
1700毫安,
F1 = 2110兆赫, F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫, F2 = 2170兆赫)
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电,P
OUT
= 170 W,I
DQ
1700毫安,
F1 = 2110兆赫, F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫, F2 = 2170兆赫)
两个 - 音互调失真
(V
DD
= 28伏直流电,P
OUT
= 170 W,I
DQ
1700毫安,
F1 = 2110兆赫, F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫, F2 = 2170兆赫)
两个 - 音频输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电,P
OUT
= 170 W,I
DQ
1700毫安,
F1 = 2110兆赫, F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫, F2 = 2170兆赫)
P
OUT
, 1 dB压缩点
(V
DD
= 28伏直流,我
DQ
1700毫安, F = 2170兆赫)
1.测量取得与设备推 - 拉配置。
G
ps
12
dB
符号
典型值
最大
单位
η
33
%
IMD
- 30
dBc的
IRL
- 12
dB
P1dB
180
W
MRF21180R6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司