摩托罗拉
半导体技术资料
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由MRF5015 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式
设计用于在frequen-宽带商业和工业应用
资本投资者入境计划，以520兆赫。该装置的高增益和宽带性能
使其非常适用于大信号，在12.5共源放大器的应用
伏移动，并且基站的FM设备。
•
在512兆赫， 12.5伏保证性能
输出功率= 15瓦
功率增益= 10分贝敏
效率= 50 ％最小
•
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
•
S参数表征在高偏置电平
•
优良的热稳定性
•
所有黄金金超可靠性
•
能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.5伏， 512兆赫， 2分贝高速
•
电路板摄影大师可应要求提供联系
RF战术营销在亚利桑那州凤凰城。
MRF5015
15 W， 512兆赫， 12.5伏
N沟道宽带
射频功率场效应管
CASE 319-07 ，花柱3
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1 MΩ ）
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
VDSS
VDGR
VGS
ID
PD
TSTG
TJ
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
符号
民
典型值
价值
36
36
±
20
6
50
0.29
- 65 〜+ 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
最大
3.5
单位
° C / W
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压（ VGS = 0 ， n = 5 MADC ）
零栅极电压漏极电流（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ）
门源漏电流（ VGS = 20伏直流电， VDS = 0 ）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
36
—
—
—
—
—
—
5
2
VDC
MADC
μAdc
（续）
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 6
©
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉公司1994年
MRF5015
1
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
