设计注意事项
的MRF5015是一个共源， RF功率，N-常用信
NEL增强型，金属氧化物半导体现场
效应晶体管（ MOSFET） 。摩托罗拉RF MOSFET的特性
垂直结构具有平面设计。摩托罗拉应用
注AN211A “，在理论与实践的FET ， ”建议
阅读对于那些不熟悉的建设和煤焦
FET的Cucumis Sativus查阅全文。
该器件主要用于12.5伏VHF和
超高频功率放大器应用。主要优点
RF功率MOSFET ，包括高增益，偏置简单的系统，
免受热失控影响相对免疫力，并有能力
承受严重不匹配负载不遭受损坏
年龄。
GATE特性
的射频MOSFET的栅极是多晶硅材料，并
是从由氧化物层的源极电绝缘。
输入电阻非常高，为109的数量级上
Ω,
重
质保的义务，在几毫微安的漏电流。
栅极控制是通过将正电压施加到实现
栅极大于所述栅极到源极阈值电压，
V GS （ TH） 。
门额定电压 -
从来没有超过栅极电压额定
ING 。超过额定V GS可能会导致永久性损坏
年龄在栅极区域中的氧化物层。
门终止 -
这些器件的栅极被第ES
sentially电容。电路的离开门打开，税务局局长
cuited或悬空，必须避免。这些条件可以
结果在点灯由于电压累积在设备上的
输入电容由于漏电流或皮卡。
门保护 -
这些装置不具有一个内部
从栅极到源极的单片齐纳二极管。如果门保护
化是必需的，一个外部齐纳二极管建议
适当的RF去耦网络。
使用电阻器，以保持栅极 - 源阻抗
低也有助于抑制瞬态和供应祁门功夫，功夫又
坦功能。在漏极电压瞬变可以连接
通过寄生栅极 - 漏极电容的栅极。如果
栅极 - 源阻抗和电压的比率
改变在漏极都高，则耦合到所述信号
栅极可以是大到足以超过栅极阈值
电压和开启该设备。
MOSFET电容
的MOSFET的结果在电容器的物理结构
所有这三个终端之间。金属氧化物栅极结构
确定从栅极到漏极的电容（ Cgd的） ，和
栅极 - 源极（C gs的） 。在FAB-形成的PN结
的射频MOSFET rication导致结电容
从漏极到源极（℃的ds ） 。这些电容都是字符
terized作为输入（℃国际空间站） ，输出（℃ OSS）和反向传输
（C RSS ），电容上的数据表。关系如下─
补间的端子间电容和所给出的
数据表如下所示。了C ISS可以在指定
有两种方法：
1.漏短接至源和正电压在门口。
排在2方面正电压源和
2.
零伏的栅极。
在后者的情况下，数量也低。然而，无论是
方法代表了射频AP-实际运行条件
并发症。
直流偏置
由于MRF5015是一种增强型FET ，漏极
仅流过电流时的栅极处于比一个高电位
源。参见图5漏极电流的典型情节
与栅极电压。 RF功率FET与优化运行
静态漏电流（I DQ ） ，其值是DE-应用
下垂。该MRF5015的特点，在我DQ = 100毫安，
这是偏置电流的建议值典型AP-
并发症。对于特殊的应用，如线性扩增
灰，我的DQ可以具有被选择以优化关键
参数。
门是一个DC开路，并绘制基本上没有电流
租。因此，栅极偏压电路通常可以只是一个
简单的电阻分压网络。一些特殊的应用
可能需要更精细的偏压系统。
漏
CGD
门
CDS
CGS
来源
西塞= Cgd的+的Cgs
COSS = Cgd的+硫化镉
CRSS = Cgd的
排水特性
值得一FET的一个关键的数字是它的静态阻力
在全导通状态。此导通电阻，的Rds（on ） ，则发生
在输出特性和的线性区域是试样
田间在特定的栅 - 源电压和漏电流。该
在这些条件下，漏极 - 源极电压被称为
V DS （ ON） 。为MOSFET时， V DS （上）具有正温度
系数在高温下，因为它有助于
在装置内的功率耗散。
增益控制
的MRF5015的输出功率可控制在一定
用低功率的直流控制信号度施加到栅极，
从而便于应用，例如手动增益控制，
ALC / AGC和调制系统。图4是一个例子
输出功率变化与栅源偏置电压与
销保持恒定。这个特性是非常依赖于
频率和负载线。
MRF5015
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摩托罗拉RF设备数据
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
