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MBM29DL324BE-90TN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29DL324BE-90TN图片预览
型号: MBM29DL324BE-90TN
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内容描述: 32M ( 4M ×8 / 2M ×16 )位双操作 [32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 80 页 / 1459 K
品牌: FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
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MBM29DL32XTE/BE
-80/90/12
表6.4扩展自选代码表
TYPE
制造商代码
(B)
MBM29DL322TE
设备
CODE
MBM29DL322BE
(W)的2256H 0
行业组保护
(B ) :字节模式
( W) :字模式
表6.5 MBM29DL323TE / BE部门的保护组自选验证码
TYPE
制造商的代码
字节
MBM29DL323TE
设备
CODE
MBM29DL323BE
行业组保护
*1: A
-1
对于字节模式。
* 2 :输出01H ,在受保护的部门组地址,并在无保护的部门组地址输出为00h 。
表6.6扩展自选代码表
TYPE
制造商代码
(B)
MBM29DL323TE
设备
CODE
MBM29DL323BE
(W)的2253h 0
行业组保护
(B ) :字节模式
( W) :字模式
01h
A
-1
/0
CODE
04h
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
DQ
2
DQ
1
DQ
0
A
-1
/0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
55H一
-1
HI -Z高阻-Z高阻-Z高阻-Z
0
0
1
0
0
0
1
0
0
(W)的2255H 0
(B)
56H一
-1
HI -Z高阻-Z高阻-Z高阻-Z
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
01h
A
-1
/0
A
12
到A
20
X
X
字节
X
业集团
地址
A
6
V
IL
V
IL
A
1
V
IL
V
IL
A
0
V
IL
V
IH
A
-1*1
V
IL
V
IL
X
V
IL
代码(十六进制)
04h
50h
2250h
53h
2253h
01h
*2
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
CODE
04h
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
DQ
2
DQ
1
DQ
0
A
-1
/0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
1
50H一
-1
HI -Z高阻-Z高阻-Z高阻-Z
0
0
1
0
0
0
1
0
0
(W)的2250h 0
(B)
53H一
-1
HI -Z高阻-Z高阻-Z高阻-Z
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
13