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MBM29DL324BE-90TN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29DL324BE-90TN图片预览
型号: MBM29DL324BE-90TN
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内容描述: 32M ( 4M ×8 / 2M ×16 )位双操作 [32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 80 页 / 1459 K
品牌: FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
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MBM29DL32XTE/BE
-80/90/12
s
设备总线操作
表3 MBM29DL32XTE / BE用户总线操作(字节= V
IH
)
手术
自动选择制造商代码( 1 )
自动选择设备代码( 1 )
阅读( 3 )
待机
输出禁用
写(编程/擦除)
启用类别组保护( 2 ) , ( 4 )
验证类别组保护( 2 ) , ( 4 )
临时机构集团unprotection的( 5 )
复位(硬件) /待机
引导块扇区写保护
CE OE WE
L
L
L
H
L
L
L
L
X
X
X
L
L
L
X
H
H
V
ID
L
X
X
X
H
X
X
X
H
H
H
X
H
L
A
0
L
H
A
0
X
X
A
0
L
L
X
X
X
A
1
L
L
A
1
X
X
A
1
H
H
X
X
X
A
6
L
L
A
6
X
X
A
6
L
L
X
X
X
A
9
V
ID
V
ID
A
9
X
X
A
9
V
ID
V
ID
X
X
X
DQ
0
到DQ
15
RESET WP / ACC
CODE
CODE
D
OUT
高-Z
高-Z
D
IN
X
CODE
X
高-Z
X
H
H
H
H
H
H
H
H
V
ID
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
表4 MBM29DL32XTE / BE用户总线操作(字节= V
IL
)
手术
自动选择制造商代码( 1 )
自动选择设备代码( 1 )
阅读( 3 )
待机
输出禁用
写(编程/擦除)
启用类别组保护
(2), (4)
验证类别组保护
(2), (4)
临时机构集团
解除保护( 5 )
复位(硬件) /待机
引导块扇区写保护
CE OE WE DQ
15
/ A
0
A
-1
L
L
L
H
L
L
L
L
X
X
X
L
L
L
X
H
H
V
ID
L
X
X
X
H
X
X
X
H
H
H
X
H
L
L
L
A
-1
X
X
A
-1
L
L
X
X
X
L
H
A
0
X
X
A
0
L
L
X
X
X
A
1
L
L
A
1
X
X
A
1
H
H
X
X
X
A
6
L
L
A
6
X
X
A
6
L
L
X
X
X
A
9
V
ID
V
ID
A
9
X
X
A
9
V
ID
V
ID
X
X
X
DQ
0
到DQ
7
RESET WP / ACC
CODE
CODE
D
OUT
高-Z
高-Z
D
IN
X
CODE
X
高-Z
X
H
H
H
H
H
H
H
H
V
ID
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
图例:
L = V
IL
,H = V
IH
,X = V
IL
或V
IH
,
=脉冲输入。见DC特性的电压等级。
注:1。制造商和设备代码,也可以通过命令寄存器写入顺序访问。看
表5 。
2.请参阅有关类别组保护的部分。
3.我们可以V
IL
如果OE为V
IL
, OE在V
IH
启动写操作。
4. V
CC
= 3.3 V ± 10%
5.它也可用于工作在扩展扇区组保护。
9