欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    2SK2520-01MR 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2520-01MR图片预览
    型号： 2SK2520-01MR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道MOS - FET的 [N-channel MOS-FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 167 K
    品牌： FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
     浏览型号2SK2520-01MR的Datasheet PDF文件第2页  
    2SK2520-01MR
    FAP -II系列
    ＆ GT ;产品特点
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    高速开关
    低导通电阻
    无二次击穿
    低驱动功率
    高压
    V
    GS
    = ± 30V保证
    雪崩证明
    N沟道MOS - FET的
    200V
    0,4Ω
    10A
    30W
    ＆ GT ;外形图
    ＆ GT ;应用程序
    -
    -
    -
    -
    开关稳压器
    UPS
    DC- DC转换器
    通用功率放大器
    ＆ GT ;最大额定值和特性
    - 绝对最大额定值（T
    C
    =25°C),
    除非另有说明
    项
    漏源电压
    漏极 - 栅极电压（R
    GS
    =20KΩ)
    连续漏极电流
    漏电流脉冲
    栅极 - 源极电压
    马克斯。功耗
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    DS
    V
    DGR
    I
    D
    I
    D（ PULS ）
    V
    GS
    P
    D
    T
    ch
    T
    英镑
    等级
    200
    200
    10
    40
    ±30
    30
    150
    -55 ~ +150
    单位
    V
    V
    A
    A
    V
    W
    °C
    °C
    ＆ GT ;等效电路
    - 电气特性（T
    C
    =25°C),
    除非另有说明
    项
    漏源击穿电压
    门门限电压
    零栅极电压漏极电流
    门源漏电流
    漏源导通电阻
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通时间t
    on
    (t
    on
    =t
    D（上）
    +t
    r
    )
    关断时间t
    关闭
    (t
    on
    =t
    D（关闭）
    +t
    f
    )
    雪崩能力
    二极管正向导通电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    R
    g
    C
    C
    C
    t
    t
    t
    t
    I
    V
    t
    Q
    GSS
    DS （ ON）
    fs
    国际空间站
    OSS
    RSS
    D（上）
    r
    D（关闭）
    f
    AV
    SD
    rr
    rr
    测试条件
    I
    D
    =1mA
    V
    GS
    =0V
    I
    D
    =1mA
    V
    DS =
    V
    GS
    V
    DS
    =200V
    T
    ch
    =25°C
    V
    GS
    =0V
    T
    ch
    =125°C
    V
    GS
    =±30V
    V
    DS
    =0V
    I
    D
    =5A
    V
    GS
    =10V
    I
    D
    =5A
    V
    DS
    =25V
    V
    DS
    =25V
    V
    GS
    =0V
    f=1MHz
    V
    CC
    =150V
    I
    D
    =10A
    V
    GS
    =10V
    R
    GS
    =10
    Ω
    L=100µH
    T
    ch
    =25°C
    I
    F
    =2xI
    DR
    V
    GS
    = 0V牛逼
    ch
    =25°C
    I
    F
    =I
    DR
    V
    GS
    =0V
    - 二
    F
    / DT = 100A / μs的牛逼
    ch
    =25°C
    分钟。
    200
    2,5
    典型值。
    3,0
    10
    0,2
    10
    0,35
    4,5
    500
    110
    50
    10
    30
    30
    20
    1,15
    130
    750
    马克斯。
    3,5
    500
    1,0
    100
    0,4
    750
    170
    80
    20
    50
    50
    30
    1,8
    2,0
    10,0
    单位
    V
    V
    µA
    mA
    nA
    Ω
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    A
    V
    ns
    µC
    - 热特性
    项
    热阻
    符号
    R
    第（章-a）的
    R
    TH（ CH-C ）
    测试条件
    通道的空气
    渠道情况
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    62,5
    4,17
    单位
    ° C / W
    ° C / W

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6