N沟道MOS - FET的
200V
0,4Ω
2SK2520-01MR
FAP -II系列
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
= F (T
ch
); I
D
= 5A ; V
GS
=10V
10A
30W
& GT ;特色
典型的输出特性
I
D
= F(V
DS
) ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型的传输特性
I
D
= F(V
GS
) ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
↑
I
D
[A]
↑
1
R
DS ( ON)
[Ω]
↑
2
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
→
T
ch
[°C]
→
V
GS
[V]
→
典型的漏源导通状态,电阻
R
DS ( ON)
= F(我
D
) ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型的跨导
g
fs
= F(我
D
) ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
栅极阈值电压与T
ch
V
GS ( TH)
= F (T
ch
); I
D
= 1毫安; V
DS
=V
GS
↑
R
DS ( ON)
[Ω]
↑
g
fs
[S]
↑
5
V
GS ( TH)
[V]
4
6
I
D
[A]
→
I
D
[A]
→
T
ch
[°C]
→
典型的电容
C = F(V
DS
); V
GS
= 0V ; F = 1MHz的
典型栅极电荷特性
V
GS
= F量(Qg ) ;我
D
=10A
反向二极管的正向特性
I
F
= F(V
SD
) ;为80μs脉冲试验总胆固醇= 25°C ; V
GS
=0V
↑
C [ nF的]
↑
V
DS
[V]
↑
V
GS
[V]
↑
I
F
[A]
7
8
9
V
DS
[V]
→
QG [ NC ]
→
V
SD
[V]
→
功耗
P
D
= F( Tc)的
安全工作区
I
D
= F(V
DS
) : D = 0.01 , TC = 25℃
Z
TH( CH-C )
〔 K / W〕
↑
瞬态热阻抗
Z
thch -C
= F( t)的参数:D = T / T
↑
P
D
[W]
10
↑
I
D
[A]
12
T
ch
[°C]
→
V
DS
[V]
→
T [ S]
→
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