2SK2689-01MR 参数 Datasheet PDF下载

2SK2689-01MR

FAP -IIIB系列

＆ GT ;产品特点

-

-

-

-

-

HIGH CURRENT

低导通电阻

无二次击穿

低驱动功率

额定雪崩

N沟道MOS - FET的

30V

0,01Ω

50A

40W

＆ GT ;外形图

＆ GT ;应用程序

- 电机控制

- 通用功率放大器

- DC-DC变换器

＆ GT ;最大额定值和特性

- 绝对最大额定值（T

C

=25°C),

除非另有说明

项

漏源电压

连续漏极电流

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压

最大雪崩能量

马克斯。功耗

工作和存储温度范围

符号

V

DS

I

D

I

D（ PULS ）

V

GS

E

AV

P

D

T

ch

T

英镑

等级

30

50

200

±16

520

40

150

-55 ~ +150

* L = 0,277mH ，V

CC

=12V

＆ GT ;等效电路

单位

V

A

A

V

兆焦耳*

W

°C

°C

- 电气特性（T

C

=25°C),

除非另有说明

项

漏源击穿电压

门门限电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通时间t

on

(t

on

=t

D（上）

+t

r

)

关断时间t

关闭

(t

on

=t

D（关闭）

+t

f

)

雪崩能力

二极管正向导通电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

I

R

g

C

C

C

t

t

t

t

I

V

t

Q

GSS

DS （ ON）

fs

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

r

D（关闭）

f

AV

SD

rr

rr

测试条件

I

D

=1mA

V

GS

=0V

I

D

=1mA

V

DS =

V

GS

V

DS

=30V

T

ch

=25°C

V

GS

=0V

T

ch

=125°C

V

GS

=±16V

V

DS

=0V

I

D

=25A

V

GS

=4V

V

GS

=10V

I

D

=25A

V

DS

=25V

V

DS

=25V

V

GS

=0V

f=1MHz

V

CC

=15V

I

D

=50A

V

GS

=10V

R

GS

=10

Ω

T

ch

=25°C

L = 100μH

I

F

=2xI

DR

V

GS

= 0V牛逼

ch

=25°C

I

F

=2xI

DR

V

GS

=0V

- 二

F

/ DT = 100A / μs的牛逼

ch

=25°C

分钟。

30

1,0

典型值。

1,5

10

0,2

10

0,012

0,0075

45

2750

1300

600

13

55

180

150

1,14

85

0,17

马克斯。

2,0

500

1,0

100

0,017

0,01

4130

1950

900

20

83

270

230

1,71

130

22

50

单位

V

V

µA

mA

nA

Ω

Ω

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

A

V

ns

µC

- 热特性

项

热阻

符号

R

第（章-a）的

R

TH（ CH-C ）

测试条件

通道的空气

渠道情况

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

62,5

° C / W

3,125 ° C / W

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