2SK2689-01MR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK2689-01MR
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内容描述：	N沟道MOS - FET的 [N-channel MOS-FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 338 K
品牌：	FUJI [ FUJI ELECTRIC ]

N沟道MOS - FET的

30V

0,01Ω

2SK2689-01MR

FAP -IIIB系列

漏极 - 源极导通电阻与T

DS （ ON）

= F （T

); I

= 25A ; V

=10V

50A

40W

＆ GT ;特色

典型的输出特性

= F（V

） ;为80μs脉冲试验;牛逼

=25°C

典型的传输特性

= F（V

） ;为80μs脉冲试验; V

= 25V ;牛逼

=25°C

↑

[A]

↑

DS （ ON）

[mΩ]

↑

[A]

[V]

→

[°C]

→

[V]

→

典型的漏源导通状态，电阻与我

DS （ ON）

= F（我

） ;为80μs脉冲试验;牛逼

=25°C

典型正向跨导与我

= F（我

） ;为80μs脉冲试验; V

= 25V ;牛逼

=25°C

栅极阈值电压与T

GS （ TH）

= F （T

); I

= 1毫安; V

↑

DS （ ON）

[mΩ]

↑

[S]

↑

GS （ TH）

[V]

[A]

→

[A]

→

[°C]

→

典型的电容与V

C = F（V

); V

= 0V ; F = 1MHz的

典型栅极电荷特性

= F量（Qg ） ;我

= 50A ;牛逼

=25°C

反向二极管的正向特性

= F（V

） ;为80μs脉冲试验;牛逼

=25°C

↑

C [ F]

↑

[V]

↑

[V]

↑

[A]

[V]

→

QG [ NC ]

→

[V]

→

最大雪崩能量与起始物为

= F （起始物为

): V

= 12V ;我

≤

50A

安全工作区

= F（V

）： D = 0.01 ， TC = 25℃

↑

TH（ CH-C ）

〔 K / W〕

瞬态热阻抗

thCH

= F（ t）的参数：D = T / T

↑

[兆焦耳]

↑

[A]

起始物为

[°C]

→

[V]

→

T [ S]

→

此规格如有变更，恕不另行通知！

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