2SK3522-01
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
评级
单位
V
V
DS
500
V
V
DSX * 5
500
A
连续漏电流
I
D
±21
A
漏电流脉冲
I
D（ PULS ]
±84
V
栅源电压
V
GS
±30
A
重复或不重复
I
AR
*2
21
mJ
最大雪崩能量
E
AS
*1
400
KV / μs的
最大漏源的dV / dt
dV
DS
/ DT
*4
20
峰值二极管恢复的dv / dt
dv / dt的
*3
5
KV / μs的
°C
马克斯。功耗
P
D
Ta=25
2.50
W
°C
Tc=25
220
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
* 1 L = 1.67mH ， VCC = 50V * 2总胆固醇<150 ° C * 3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
=
=
=
=
* 4 VDS< 500V * 5 V
GS
=-30V
=
项
漏源电压
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250µA
V
GS
=0V
µA
I
D
= 250
V
DS
=V
GS
V
DS
=500V V
GS
=0V
V
DS
=400V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 10.5A V
GS
=10V
I
D
= 10.5A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=10.5A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Ω
V
CC
=300V
I
D
=21A
V
GS
=10V
L = 1.67mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 21A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 21A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
分钟。
500
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
0.26
单位
V
V
µA
nA
Ω
S
pF
11
10
0.20
22
2280
3420
320
480
16
24
27
41
37
56
75
113
11
17
54
81
16
24
20
30
0.98
0.7
10.0
ns
nC
21
1.50
A
V
µs
µC
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.568
50.0
单位
° C / W
° C / W
1
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
