2SK3522-01
FUJI功率MOSFET
栅极阈值电压与总胆固醇
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
马克斯。
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 21A ，总胆固醇= 25°C
24
22
20
18
VCC = 100V
VCC = 250V
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 250μA
VGS （ TH） [V]
4.5
16
14
VCC = 400V
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
分钟。
VGS电压[V]的
4.0
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
10
1
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
反向二极管的典型正向特性
100
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
西塞
10
0
10
C [ nF的]
10
-1
科斯
IF [ A]
1
0.1
0.00
10
-2
CRSS
10
-3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
VDS [V]的
VSD [V]的
典型的开关特性与ID
10
3
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
500
450
400
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 50V ， I（ AV） < = 21A
10
2
TD （关闭）
350
300
T [ NS ]
TD （上）
EAV [兆焦耳]
tf
0
1
2
250
200
150
100
50
10
1
tr
10
0
0
-1
10
10
10
10
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
开始总胆固醇[
°
C]
3
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
