7MBP100RA120
控制电路的电特性（在
TC = TJ = 25 ° C， VCC = 15V ）
项
符号
P系列侧预驱动器的供电电流（一个单位）I
CCP
I
CCN
N线方三预驱动器的供电电流
V
IN（日）
输入信号的阈值电压（开/关）
输入齐纳电压
过热保护的温度水平
迟滞
IGBT芯片过热保护的温度水平
迟滞
集电极电流保护级别
INV
DB
过电流保护延迟时间
欠电压保护水平
迟滞
报警信号保持时间
SC保护延迟时间
限流电阻用于报警
*
7
IPM开关频率
V
Z
T
COH
T
CH
T
[约
T
jH
I
OC
I
OC
t
DOC
V
UV
V
H
t
ALM
t
SC
R
ALM
条件
fsw的= 0到15kHz的=锝-20 ℃〜100℃ *
7
fsw的= 0到15kHz的=锝-20 ℃〜100℃ *
7
ON
关闭
RIN = 20K欧姆
VDC = 0V ， IC = 0A ，外壳温度图1
的IGBT芯片表面
Tj=125°C
Tj=125°C
TJ = 25℃图2
分钟。
3
10
1.00
1.70
-
110
-
150
-
150
75
-
11.0
0.2
1.5
TJ = 25℃图3
-
1425
典型值。
-
-
IGBT -IPM
马克斯。
18
1.35
2.05
8.0
-
20
-
20
-
-
10
-
-
2
-
1500
65
1.70 V
2.40 V
V
-
125
-
-
-
-
-
-
12.5
-
-
12
1575
单位
mA
mA
°C
°C
°C
°C
A
A
µs
V
V
ms
µs
欧姆
动态特性（在
TC = TJ = 125°C ， VCC = 15V ）
项
切换时间（ IGBT ）
切换时间（ FWD ）
符号条件
吨
花花公子
TRR
IC = 100A ， VDC = 600V
IF = 100A ， VDC = 600V
分钟。
0.3
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
-
3.6
0.4
单位
µs
µs
µs
热特性（锝= 25℃）
项
结到外壳热阻
INV
DB
案件翅复合热阻
IGBT
FWD
IGBT
符号
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ）
典型值。
-
-
-
0.05
马克斯。
0.17
0.36
0.31
-
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
推荐值
项
直流母线电压
操作电源电压前置驱动器的范围
IPM开关频率
螺杆转矩
安装（M5）
终端（ M5 ）
符号
V
DC
V
CC
f
SW
-
-
分钟。
200
13.5
1
2.5
2.5
典型值。
-
15
-
-
-
马克斯。
800
16.5
20
3.0
3.0
单位
V
V
千赫
N·m的
N·m的
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
