7MBP100RA120
IGBT -IPM
瞬态热阻
1
热阻： Rth的（J -C ） （ ° C / W）
FWD
1400
1200
集电极电流： IC （A）
1000
800
600
400
200
0.01
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度：密码（秒）
0
0
反向偏置安全工作区
Vcc=15V,Tj
＆ LT ;
125°C
=
IGBT
0.1
SCSOA
（非重复脉冲）
RBSOA
（重复脉冲）
200
400
600
800
1000
1200
1400
集电极 - 发射极电压的Vce （V ）
功率降额的IGBT
（每设备）
800
捕集器功耗：PC （ W）
700
600
500
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
外壳温度：TC （ ℃）
捕集器功耗：PC （ W）
350
300
250
200
150
100
50
0
0
20
功率降额的FWD
（每设备）
40
60
80
100
120
140
160
外壳温度：TC （ ℃）
开关损耗与集电极电流
Edc=600V,Vcc=15V,Tj=25°C
40
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR （兆焦耳/周期）
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR （兆焦耳/周期）
35
30
25
20
15
EOFF
ERR
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10
宙
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
开关损耗与集电极电流
Edc=600V,Vcc=15V,Tj=125°C
宙
EOFF
ERR
20
40
60
80
100
120
140
160
集电极电流： IC （A）
集电极电流： IC （A）
FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
