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    GS72116AJ-10I 参数 Datasheet PDF下载

    GS72116AJ-10I图片预览
    型号： GS72116AJ-10I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×16的2Mb SRAM的异步 [128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 18 页 / 491 K
    品牌： GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
     浏览型号GS72116AJ-10I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GS72116AJ-10I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GS72116AJ-10I的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GS72116AJ-10I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GS72116AJ-10I的Datasheet PDF文件第10页浏览型号GS72116AJ-10I的Datasheet PDF文件第11页浏览型号GS72116AJ-10I的Datasheet PDF文件第12页浏览型号GS72116AJ-10I的Datasheet PDF文件第13页  
    GS72116ATP/J/T/U
    Write Cycle 1: WE control
    tWC
    Address
    tAW
    OE
    tCW
    CE
    tBW
    UB, LB
    tAS
    WE
    tDW
    Data In
    tWHZ
    Data Out
    tDH
    Data valid
    tWLZ
    High impedance
    tWP
    tWR
    Write Cycle 2: CE control
    tWC
    Address
    tAW
    OE
    tAS
    CE
    tBW
    UB, LB
    tWP
    WE
    tDW
    Data In
    Data Out
    tDH
    Data valid
    tCW
    tWR1
    High impedance
    Rev: 1.04a 10/2002
    9/18
    © 2001, Giga Semiconductor, Inc.
    Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

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