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GS81032AT-6I 参数 Datasheet PDF下载

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型号: GS81032AT-6I
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内容描述: 32K ×32 1M同步突发SRAM [32K x 32 1M Synchronous Burst SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 23 页 / 759 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS81032AT/Q-150/138/133/117/100/66  
Write Cycle Timing  
Single Write  
Burst Write  
Deselected  
Write  
CK  
tH  
tS  
ADSP is blocked by E1 inactive  
tKC  
tKL  
tKH  
ADSP  
tS tH  
ADSC initiated write  
ADSC  
tH  
tS  
ADV  
ADV must be inactive for ADSP Write  
tH  
tS  
WR2  
WR3  
WR1  
A0–An  
tS tH  
GW  
BW  
tH  
tS  
tS  
tH  
WR3  
WR1  
WR2  
BA–BD  
tS  
tH  
tH  
E1 masks ADSP  
E1  
tS  
Deselected with E2  
E2  
tS tH  
E2 and E3 only sampled with ADSP or ADSC  
E3  
G
tS  
Write specified byte for 2A and all bytes for 2B, 2C& 2D  
tH  
Hi-Z  
D2C  
D2D  
D3A  
DQA–DQD  
D1A  
D2A  
D2B  
Rev: 1.01 7/2001  
14/23  
© 2000, Giga Semiconductor, Inc.  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.