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GS72108TP-15I 参数 Datasheet PDF下载

GS72108TP-15I图片预览
型号: GS72108TP-15I
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内容描述: 256K ×8的2Mb SRAM的异步 [256K x 8 2Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 354 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS72108TP/J
推荐工作条件
参数
电源电压为-10/12/15
电源电压为-8
输入高电压
输入低电压
环境温度下,
商用系列
环境温度下,
工业温度范围
符号
V
DD
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
A
I
3.0
3.135
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
3.3
最大
3.6
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
o
C
o
C
注意:
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试在T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 %测试。
DC I / O引脚特性
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
LO
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z
V
OUT
= 0至V
DD
I
OH
= -4mA
I
LO
= + 4毫安
1微安
–1
uA
2.4
最大
1微安
1微安
0.4 V
冯: 1.08 7/2002
4/12
©1999 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。