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GS72108TP-15I 参数 Datasheet PDF下载

GS72108TP-15I图片预览

型号：	GS72108TP-15I
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	256K ×8的2Mb SRAM的异步 [256K x 8 2Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小：	12 页 / 354 K
品牌：	GSI [ GSI TECHNOLOGY ]

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GS72108TP/J

读周期2 ： WE = V

IH

t

RC

地址

t

AA

CE

t

AC

t

LZ

OE

t

OE

数据输出

t

OLZ

高阻抗

D

ATA VALID

t

HZ

t

OHZ

写周期

参数

写周期时间

地址有效到写结束

芯片使能写操作的结束

数据建立时间

数据保持时间

把脉冲宽度

地址建立时间

写恢复时间（ WE）

写恢复时间（ CE ）

输出低Z从写结束

写在高Z输出

符号

TWC

TAW

TCW

TDW

TDH

TWP

TAS

tWR的

tWR1

TWLZ

*

tWHZ

*

-8

民

8

5.5

5.5

4

0

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0

0

0

3

—

-10

最大

—

—

—

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—

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—

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—

—

3.5

-12

民

12

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8

6

0

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0

0

0

3

—

-15

民

15

10

10

7

0

10

0

0

0

3

—

民

10

7

7

5

0

7

0

0

0

3

—

最大

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

4

最大

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

5

最大

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

6

单位

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

冯： 1.08 7/2002

7/12

©1999 ，千兆半导体公司

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

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