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GS74108AX-8I 参数 Datasheet PDF下载

GS74108AX-8I图片预览
型号: GS74108AX-8I
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内容描述: 512K ×8 4Mb的异步SRAM [512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 647 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74108ATP/J/X
真值表
CE
H
L
L
L
注意:
×: “H”或“L”的
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
DQ
1
到DQ
8
未选择
高Z
V
DD
当前
ISB
1
, ISB
2
I
DD
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
T
英镑
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
( ≤ 4.6 V最大。 )
-0.5到V
DD
+0.5
( ≤ 4.6 V最大。 )
0.7
-55到150
单位
V
V
V
W
o
C
注意:
如果绝对最大额定值被超过,可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于推荐
工作条件。暴露于高比长时间推荐的电压可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压为-8 / -10 / -12
输入高电压
输入低电压
环境温度下,
商用系列
环境温度下,
工业温度范围
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
A
I
3.0
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
C
o
注意事项:
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
冯: 1.07 1/2006
3/13
©2001 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。