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GS74108AX-8I 参数 Datasheet PDF下载

GS74108AX-8I图片预览
型号: GS74108AX-8I
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内容描述: 512K ×8 4Mb的异步SRAM [512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 647 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74108ATP/J/X
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
TR = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50Ω
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589Ω
434Ω
注意事项:
1.包括范围和夹具电容。
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明。
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
AC特性
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间( CE )
输出使能到输出有效( OE )
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出( CE )
输出使能在低Z输出( OE )
芯片禁用高Z输出( CE )
输出禁止在高Z输出( OE )
*这些参数进行采样,而不是100 %测试。
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OE
t
OH
t
LZ
*
t
OLZ
*
t
HZ
*
t
OHZ
*
-8
8
3
3
0
最大
8
8
3.5
4
3.5
10
3
3
0
-10
最大
10
10
4
5
4
12
3
3
0
-12
最大
12
12
5
6
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
冯: 1.07 1/2006
5/13
©2001 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。