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GS78116B-15 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	GS78116B-15
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内容描述：	512K ×16的8Mb异步SRAM [512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小：	11 页 / 415 K
品牌：	GSI [ GSI TECHNOLOGY ]

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GS78116B

写周期

参数

写周期时间

地址有效到写结束

芯片使能写操作的结束

数据建立时间

数据保持时间

把脉冲宽度

地址建立时间

写恢复时间（ WE）

写恢复时间（ CE ）

输出低Z从写结束

写在高Z输出

符号

TWC

TAW

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单位

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*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

写周期1 ：我们控制

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地址

t

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WE

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DW

DATA IN

t

WHZ

数据输出

高阻抗

数据有效

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WR

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WP

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WLZ

冯： 1.02 9/2001

对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

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