GS78116B-15 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GS78116B-15
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内容描述：	512K ×16的8Mb异步SRAM [512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小：	11 页 / 415 K
品牌：	GSI [ GSI TECHNOLOGY ]

GS78116B

电容

参数

输入电容

输出电容

符号

OUT

TEST

条件

= 0 V

OUT

= 0 V

最大

单位

注意事项：

1.测试在T

= 25 ° C，F = 1兆赫

2.这些参数进行采样和不是100 ％测试。

DC I / O引脚特性

参数

输入漏

当前

输出漏

当前

输出高电压

输出低电压

符号

测试条件

= 0至V

输出高Z，

OUT

= 0至V

= -4毫安

= 4毫安

民

-2微安

-1微安

2.4

最大

2微安

1微安

0.4 V

电源电流

参数

符号

测试条件

≤

所有其它输入

≥

≤

分钟。周期

OUT

= 0毫安

≥

所有其它输入

≥

≤V

分钟。周期

≥

– 0.2V

所有其它输入

≥

- 0.2 V或

≤

0.2 V

0至70℃

10纳秒

12纳秒

15纳秒

10纳秒

-40到85°C

12纳秒

15纳秒

操作

供应

当前

225毫安

220毫安

180毫安

270毫安

240毫安

200毫安

待机

当前

SB1

130毫安

120毫安

110毫安

150毫安

140毫安

130毫安

待机

当前

SB2

60毫安

80毫安

冯： 1.02 9/2001

对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

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