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GS8170DW36C-250 参数 Datasheet PDF下载

GS8170DW36C-250图片预览
型号: GS8170DW36C-250
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内容描述: 18MBヒ1x1Dp CMOS I / O双晚写SigmaRAM [18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 27 页 / 1413 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS8170DW36/72C-333/300/250/200
例四银行深度扩展Schematic-
Σ
1x1Dp
A
0
–A
n
E1
CK
W
DQ
0
-DQ
n
A
0
–A
n – 2
A
n – 1
A
n
BANK 0
A
E3
E2
E1
CK
W
CQ
CQ
EP3
0
0
DQ EP2
A
0
–A
n – 2
A
n – 1
A
n
银行1
A
E3
E2
E1
CK
W
CQ
EP3
1
0
DQ EP2
A
0
–A
n – 2
A
n – 1
A
n
2银行
A
E3
E2
E1
CK
W¯¯ EP3
DQ EP2
CQ
0
1
A
0
–A
n – 2
A
n – 1
A
n
3银行
A
E3
E2
E1
CK
W
EP3
1
1
DQ EP2
CQ
银行启用真值表
EP2
BANK 0
银行1
2银行
3银行
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
EP3
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
E2
低电平有效
低电平有效
高电平有效
高电平有效
E3
低电平有效
高电平有效
低电平有效
高电平有效
冯: 2.04 5/2005
10/27
© 2002年, GSI Technology,Inc.的
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。