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GS8170DW36C-250 参数 Datasheet PDF下载

GS8170DW36C-250图片预览

型号：	GS8170DW36C-250
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内容描述：	18MBヒ1x1Dp CMOS I / O双晚写SigmaRAM [18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	27 页 / 1413 K
品牌：	GSI [ GSI TECHNOLOGY ]

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GS8170DW36/72C-333/300/250/200

双晚写

双晚写意味着，在数据上需要时钟的第三个上升沿。双晚写来实现

管道模式NBT SRAM的。

SigmaRAM双晚写与读流水线

读

CK

写

读

写

读

地址

A

B

C

D

E

F

ADV

/E

1

/W

DQ

QA

DB

QC

DD

CQ

关键

高阻

ACCESS

字节写控制

该字节写使能输入（ Bx的）决定哪些字节将被写入。字节的任意组合写使能控制引脚，

包括全或无，可能会被激活。写周期没有活动字节写入输入是写中止循环。

X36字节的写入例真值表

功能

读

写字节A

写字节B

写字节ç

写字节ð

写的所有字节

写入中止

W

H

L

L

L

L

L

L

Ba

X

L

H

H

H

L

H

Bb

X

H

L

H

H

L

H

Bc

X

H

H

L

H

L

H

Bd

X

H

H

H

L

L

H

冯： 2.04 5/2005

6/27

© 2002年， GSI Technology，Inc.的

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

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