G5851-103 参数 Datasheet PDF下载

型号：	G5851-103
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内容描述：	砷化铟镓PIN光电二极管 [InGaAs PIN photodiode]
分类和应用：	光电二极管光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 134 K
品牌：	HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]

砷化铟镓PIN光电二极管

光谱响应

（典型值）。

1.4

1.2

G8421 / G8371 / G5851系列

照片灵敏度温度特性

（典型值）。

1.0

0.8

T为25 ˚C

温度系数（％ /℃）

照片灵敏度（ A / W）

0.6

T = -10℃

0.4

0.2

0.8

T = -20℃

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

-1

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

2.2 2.4

2.6

波长（ μm）的

KIRDB0221EA

波长（ μm）的

KIRDB0208EA

暗电流与反向电压

非冷却型

µA

（典型值TA = 25℃）

µA

G5851-23 （T = -20℃）

TE冷式

（典型值）。

G5851-13 （T = -10℃ ）

µA

G8371-03

100 nA的

暗电流

G8371-01

100 nA的

G5851-21

（T = -20℃） G5851-11 （T = -10℃ ）

10 nA的

G8421-05

G8421-03

1 nA的

G5851-103 （T = -10℃ ）

G5851-203 （T = -20℃）

1 nA的

0.01

0.1

100 pA的

0.01

0.1

反向电压（ V）

KIRDB0232EA

反向电压（ V）

KIRDB0223EA

终端电容与反向电压

10 nF的

（典型的Ta = 25℃， F = 1兆赫）

分流电阻与元件温度

10 MΩ

（典型值V

= 10毫伏）

G8421-03

G5851-103/-203

1 MΩ

G8421-05

G8371-03

G5851-13/-23

终端电容

G8371-01

G5851-11/-21

100 pF的

分流电阻

1 nF的

100 kΩ

G8371-01

G5851-11/-21

10 kΩ

G8371-03

G5851-13/-23

1 kΩ

10 pF的

G8421-05

G8421-03

G5851-103/-203

1 pF的

0.1

100

Ω

-40

-20

100

反向电压（ V）

KIRDB0233EA

元温度（℃）

KIRDB0234EA

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