G8370-82 参数 Datasheet PDF下载

型号：	G8370-82
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内容描述：	砷化铟镓PIN光电二极管 [InGaAs PIN photodiode]
分类和应用：	半导体光电二极管光电二极管
文件页数/大小：	3 页 / 109 K
品牌：	HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]

砷化铟镓PIN光电二极管

光谱响应

1.2

（典型值TA = 25℃）

G8370-81/-82/-83/-85

（典型值TA = 25

˚C

)

照片灵敏度温度特性

照片灵敏度（ A / W）

1.0

温度系数（％ /℃）

0.8

0.6

0.4

0.2

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

-1

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

波长（ μm）的

KIRDB0374EA

波长（ μm）的

KIRDB0042EA

照片灵敏度线性度

102

（典型值TA = 25℃，

λ=1.3 µm,

Ω,

=0 V)

终端电容与反向电压

（典型值TA = 25

˚C

， F = 1兆赫）

10 nF的

G8370-85

G8370-83

相对灵敏度（％）

100

终端电容

G8370-81

1 nF的

G8370-82

100 pF的

G8370-81

G8370-85

G8370-83

10 pF的

1 pF的

0.01

0.1

100

入射光LEVEL （MW ）

KIRDB0298EA

反向电压（ V）

KIRDB0299EA

分流电阻与环境温度

10 GΩ

（典型值V

= 10毫伏）

G8370-81

1 GΩ

分流电阻

G8370-82

100 MΩ

G8370-83

10 MΩ

G8370-85

1 MΩ

100 kΩ

-40

-20

100

环境温度（ ℃）

KIRDB0300EA

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