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    HMN2568D-85 参数 Datasheet PDF下载

    HMN2568D-85图片预览
    型号： HMN2568D-85
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非易失性SRAM模块的2Mbit （ 256K ×8位） ， 32引脚DIP， 5V [Non-Volatile SRAM MODULE 2Mbit (256K x 8-Bit), 32Pin-DIP, 5V]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 184 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMN2568D-85的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMN2568D-85的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMN2568D-85的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMN2568D-85的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMN2568D-85的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMN2568D-85的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMN2568D-85的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HMN2568D-85的Datasheet PDF文件第9页  
    HANBit
    POWER-DOWN/POWER-UP CYCLE
    (T
    A
    = T
    OPR,
    V
    CC
    =5V)
    PARAMETER
    V
    CC
    slew, 4.75 to 4.25V
    V
    CC
    slew, 4.75 to V
    SO
    V
    CC
    slew, V
    SO
    to V
    PFD
    (max)
    SYMBOL
    t
    PF
    t
    FS
    t
    PU
    Time during which SRAM
    Chip enable recovery time
    Data-retention time in
    Absence of V
    CC
    t
    CER
    is write-protected after V
    CC
    passes V
    PFD
    on power-up.
    t
    DR
    T
    A
    = 25℃
    Delay after V
    CC
    slews
    Write-protect time
    t
    WPT
    down
    past V
    PFD
    before SRAM is
    Write-protected.
    40
    100
    10
    -
    40
    80
    CONDITIONS
    MIN
    300
    10
    0
    TYP.
    -
    -
    -
    HMN2568D
    MAX
    -
    -
    -
    UNIT
    ㎲
    ㎲
    ㎲
    120
    ms
    -
    years
    150
    ㎲
    TIMING WAVEFORM
    - Read Cycle (Address Access)*
    1,2
    t
    RC
    Address
    t
    ACC
    t
    OH
    D
    OUT
    Previous Data Valid
    Data Valid
    - Read Cycle No.2 (/CE Access)
    *1,3,4
    /CE
    t
    ACE
    t
    CLZ
    D
    OUT
    High-Z
    t
    RC
    t
    CHZ
    High-Z
    URL : www.hbe.co.kr
    Rev. 0.0 (April, 2002)
    6
    HANBit Electronics Co.,Ltd

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