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    HDD32M72B9-16B 参数 Datasheet PDF下载

    HDD32M72B9-16B图片预览
    型号： HDD32M72B9-16B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： DDR SDRAM模组256Mbyte （ 32Mx72bit ） ，基于on32Mx8,4Banks ， 8K参考，无缓冲ECC SO- DIMM [DDR SDRAM Module 256Mbyte (32Mx72bit), based on32Mx8,4Banks, 8K Ref., ECC Unbuffered SO-DIMM]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 12 页 / 199 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HDD32M72B9-16B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HDD32M72B9-16B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HDD32M72B9-16B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HDD32M72B9-16B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HDD32M72B9-16B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HDD32M72B9-16B的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HDD32M72B9-16B的Datasheet PDF文件第11页浏览型号HDD32M72B9-16B的Datasheet PDF文件第12页  
    韩光
    AC特性
    （这些交流charicteristics测试的组件）
    DDR333
    参数
    符号
    -16A
    民
    行周期时间
    刷新行周期时间
    行活动时间
    / RAS到/ CAS延时
    行预充电时间
    行有效至行主动延迟
    写恢复时间
    最后的数据读取命令
    上校地址上校地址的延迟
    CL=2.0
    时钟周期时间
    CL=2.5
    时钟高电平宽度
    时钟低电平宽度
    从CK / CK DQS进出时间*
    从CK / CK输出数据存取时间*
    数据选通边缘到输出的数据边缘
    阅读序言
    阅读后同步
    t
    CH
    t
    CL
    t
    DQSCK
    t
    AC
    t
    DQSQ
    t
    RPRE
    t
    RPST
    t
    CK
    6
    0.45
    0.45
    -0.6
    -0.7
    -
    0.9
    0.4
    12
    0.55
    0.55
    +0.6
    +0.7
    0.45
    1.1
    0.6
    7.5
    0.45
    0.45
    -0.75
    -0.75
    -
    0.9
    0.4
    12
    0.55
    0.55
    +0.75
    +0.75
    0.5
    1.1
    0.6
    7.5
    0.45
    0.45
    t
    RC
    t
    RFC
    t
    RAS
    t
    RCD
    t
    RP
    t
    RRD
    t
    WR
    t
    CDLR
    t
    CCD
    60
    72
    42
    18
    18
    12
    15
    1
    1
    7.5
    12
    70K
    最大
    DDR266A
    -13A
    民
    65
    75
    45
    20
    20
    15
    15
    1
    1
    7.5
    12
    120K
    最大
    HDD32M72B9
    DDR266B
    -13B
    民
    65
    75
    45
    20
    20
    15
    5
    1
    1
    10
    12
    12
    0.55
    0.55
    +0.75
    +0.75
    0.5
    1.1
    0.6
    120K
    最大
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
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    ns
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    CK
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    CK
    ns
    ns
    ns
    t
    CK
    t
    CK
    5
    5
    5
    单位
    记
    -0.75
    -0.75
    -
    0.9
    0.4
    CK到有效DQS-中
    DQS -的建立时间
    DQS -保持时间
    DQS -在下降沿到CK上升沿的建立时间
    DQS -在下降沿到CK上升保持时间
    DQS -在高电平宽度
    DQS -在低电平宽度
    DQS -循环时间
    地址和控制输入设置时间（快）
    地址和控制输入保持时间（快）
    地址和控制输入保持时间（慢）
    地址和控制输入保持时间（慢）
    从CK / CK数据输出高阻抗的时间*
    从CK / CK数据输出低阻抗时间*
    输入压摆率（输入专用管脚）
    网址： www.hbe.co.kr
    REV 1.0 （ 2003年7月）。
    t
    DQSS
    t
    WPRES
    t
    WPREH
    t
    DSS
    t
    DSH
    t
    DQSH
    t
    DQSL
    t
    DSC
    t
    IS
    t
    IH
    t
    IS
    t
    IH
    t
    HZ
    t
    LZ
    t
    SL （I）的
    0.75
    0
    0.25
    0.2
    0.2
    0.35
    0.35
    0.9
    0.75
    075
    0.8
    0.8
    -0.7
    -0.7
    0.5
    8
    1.25
    0.75
    0
    0.25
    0.2
    0.2
    0.35
    0.35
    1.25
    0.75
    0
    0.25
    0.2
    0.2
    0.35
    0.35
    1.25
    t
    CK
    ns
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    2
    1.1
    0.9
    0.9
    0.9
    10
    1.0
    1.1
    0.9
    0.9
    0.9
    1.0
    1.0
    1.1
    t
    CK
    ns
    ns
    ns
    ns
    6
    6
    6
    6
    +0.7
    +0.7
    -0.75
    -0.75
    0.5
    +0.75
    +0.75
    -0.75
    -0.75
    0.5
    +0.75
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    6
    韩光电器有限公司。

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