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HDD32M72B9-16B 参数 Datasheet PDF下载

HDD32M72B9-16B图片预览
型号: HDD32M72B9-16B
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内容描述: DDR SDRAM模组256Mbyte ( 32Mx72bit ) ,基于on32Mx8,4Banks , 8K参考,无缓冲ECC SO- DIMM [DDR SDRAM Module 256Mbyte (32Mx72bit), based on32Mx8,4Banks, 8K Ref., ECC Unbuffered SO-DIMM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 12 页 / 199 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
输入压摆率(用于I / O引脚)
输出摆率( X4,X8 )
输出转换速率匹配比(上升下降)
模式寄存器设置循环时间
DQ & DM设置时间DQS
DQ & DM保持时间DQS
DQ & DM输入脉冲宽度
掉电退出时间
控制&地址输入脉冲宽度
退出自刷新到银行主动命令
退出自刷新非读命令
退出自刷新,以读取命令
刷新间隔时间
输出DQS有效窗口
t
SL( IO)的
t
SL ( O)
t
SLMR
t
MRD
t
DS
t
DH
t
DIPW
t
PDEX
t
IPW
t
XSA
t
XSNR
t
XSRD
T
REFI
T
QH
0.5
1.0
0.67
12
0.45
0.45
1.75
6
2.2
80
75
200
7.8
tHPmi
n
-tQHS
tCLmi
n
or
TCHS
0.55
0.4
20
0.6
0.4
20
( tWR的/吨
CK )
+
(TRP /吨
CK )
注意事项:
1.
2.
最大连拍数量刷新周期: 8
4.5
1.5
0.5
1.0
0.67
15
0.5
0.5
1.75
7.5
2.2
75
75
200
7.8
tHPmi
n
-tQHS
tCLmi
n
or
TCHS
0.75
0.6
0.4
20
4.5
1.5
0.5
1.0
0.67
15
0.5
0.5
1.75
7.5
2.2
75
75
200
HDD32M72B9
V / ns的
4.5
1.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
us
ns
1
5
4
7,8,9
7,8,9
V / ns的
7
10
时钟半周期
T
HP
数据保持倾斜因子
DQS写后记的时间
主动阅读与自动预充电
T
RAP
命令
Autoprecharge写恢复+预充电
时间
T
DAL
T
QHS
T
WPST
7.8
tHPmi
n
-tQHS
tCLmi
n
or
TCHS
0.75
0.6
ns
ns
t
CK
3
( tWR的/吨
CK )
+
(TRP /吨
CK )
( tWR的/吨
CK )
+
(TRP /吨
CK )
1CK
11
具体要求是, DQS有效(高或低)或本CK边缘之前。所示的情况下( DQS会
从High_Z为逻辑低电平)适用时,没有写以前在总线上的进步。如果上10 s写在
进展, DQS可以在此时是高,这取决于tDQSS 。
3.
4.
5.
6.
最高限额为这个参数不是一个设备的限制。该装置将使用这是一个很有价值的工作
参数,但系统性能(总线周转)将ordingly降低ACC 。
写命令可以使用的tRCD SATIS网络编辑这个命令后应用。
对于已注册的DIMM , TCL和总胆固醇是
¡
包括两个半周期抖动的锁相环( tJIT (HP) )的周期的45%的
Ã
和DIMM上的半周期抖动,由于串扰( tJIT (串扰) ) 。
输入建立/保持摆率降额
输入建立时间/保持斜率
(V / ns的)
0.5
0.4
0.3
.tIS
( ps的)
0
+50
+100
9
.tIH
( ps的)
0
+50
+100
韩光电器有限公司。
网址: www.hbe.co.kr
REV 1.0 ( 2003年7月)。