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    HMN4M8DVN-120 参数 Datasheet PDF下载

    HMN4M8DVN-120图片预览
    型号： HMN4M8DVN-120
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非易失性SRAM模块32兆（ 4,096K ×8位） ， 40PIN DIP， 3.3V [Non-Volatile SRAM MODULE 32Mbit (4,096K x 8-Bit), 40Pin-DIP, 3.3V]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 182 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMN4M8DVN-120的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMN4M8DVN-120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMN4M8DVN-120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMN4M8DVN-120的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMN4M8DVN-120的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMN4M8DVN-120的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMN4M8DVN-120的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMN4M8DVN-120的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    HMN4M8DV(N)
    - 写周期NO.2 （ / CE控制）
    *1,2,3,4,5
    地址
    t
    AS
    / CE
    t
    WP
    / WE
    t
    DW
    D
    IN
    t
    WZ
    D
    OUT
    数据中，未定义
    (2)
    高-Z
    数据在
    t
    DH2
    t
    AW
    t
    CW
    t
    WR2
    注意：
    1 / CE或/我们必须地址过渡时期很高。
    2.由于I / O可能是活跃的（ / OE低）在此期间，数据输入奥普osite的信号
    极性的输出必须不被应用。
    3.如果/ OE为高电平时， I / O引脚保持在高阻抗状态。
    4.要么吨
    WR1
    或T
    WR2
    必须得到满足。
    5.无论吨
    DH1
    或T
    DH2
    必须得到满足。
    掉电/上电时序
    V
    CC
    4.75
    V
    PFD
    t
    PF
    V
    PFD
    4.25
    V
    SO
    t
    FS
    t
    WPT
    t
    DR
    V
    SO
    t
    PU
    t
    CER
    / CE
    网址： www.hbe.co.kr
    1.0版（ 2002年5月）
    8
    韩光电器有限公司

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