韩光
功能说明
HMN4M8D
该HMN4M8D执行一个读周期时/ WE为无效（高）和/ CE为有效（低电平） 。由指定的地址
地址输入（A
0
-A19 ）定义其中的4,194,304字节的数据进行访问。有效的数据将提供给八个
T内的数据输出驱动器
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号后是稳定的。
当功率是有效的，则HMN4M8D用作标准CMOS SRAM中。在断电和上电周期中，
HMN4M8D用作非易失性存储器时，自动保护和保存在存储器中的内容。
该HMN4M8D处于写模式时的/ WE和/ CE信号处于激活（低电平）状态后的地址输入端
是稳定的。 / CE或后期出现下降沿/ WE将确定写周期的开始。写周期
由/ CE或/ WE的早期上升沿终止。所有地址输入必须保持有效的在整个写周期。 WE
必须返回到高状态的最小恢复时间（t
WR
）另一个循环之前可以启动。在/ OE控制
信号应保持无效（高）在写周期，以避免总线竞争。然而，如果输出总线被启用
（ / CE和/ OE激活），则/我们将禁用T中的输出
ODW
从它的下降沿。
该HMN4M8D提供全功能能力的Vcc大于4.5 V和写保护由4.37 V的标称。电源 -
下/电控制电路持续监测Vcc电源的电源故障检测阈值V
PFD
。当V
CC
瀑布
下面的V
PFD
阈值时，会自动SRAM写保护数据。所有输入到RAM中成为
“别
关心“和
所有输出为高阻抗。作为Vcc的下方约3伏下降时，功率开关电路将锂
能源索里到RAM保存数据。在上电期间，当Vcc以上升高大约3.0伏时，功率开关
电路连接外部的Vcc的RAM和断开锂电池的能量来源。正常RAM操作就可以恢复
超过4.5伏的Vcc后。
框图
`
/ OE
/ WE
4× 1024K ×8
SRAM
块
引脚说明
A
0
-A
19
DQ
0
-DQ
7
A
0
-A
21
：地址输入
/ CE ：芯片使能
V
SS
：地面
动力
/ CE
A
20
A
21
/ CE
CON
V
CC
DQ
0
-DQ
7
：数据输入/输出
/ WE ：写使能
动力
–
失败
控制
/ OE ：输出使能
V
CC
：电源（ + 5V ）
锂
CELL
NC ：无连接
网址： www.hbe.co.kr
1.0版（ 2002年5月）
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韩光电器有限公司
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
