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    HMN4M8D-85 参数 Datasheet PDF下载

    HMN4M8D-85图片预览
    型号： HMN4M8D-85
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非易失性SRAM模块32兆（ 4,096K ×8位） ， 40PIN DIP， 5V [Non-Volatile SRAM MODULE 32Mbit (4,096K x 8-Bit), 40Pin-DIP, 5V]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 172 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMN4M8D-85的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMN4M8D-85的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMN4M8D-85的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMN4M8D-85的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMN4M8D-85的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMN4M8D-85的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMN4M8D-85的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HMN4M8D-85的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    数据保持特性
    (T
    A
    = T
    OPR ，
    V
    CC
    =5V)
    参数
    VCC为数据保留
    数据保持电流
    数据保留的建立时间
    恢复时间
    符号
    V
    DR
    I
    DR
    t
    SDR
    t
    RDR
    条件
    CE =
    Vcc-0.2V
    VCC = 3.0V ， CE≥
    VCC
    看到数据保存波形
    0
    5
    民
    2.0
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    HMN4M8D
    最大
    5.5
    20
    -
    单位
    V
    uA
    ms
    -
    掉电/电周期
    (T
    A
    = T
    OPR ，
    V
    CC
    =5V)
    参数
    V
    CC
    摆， 4.75〜 4.25V
    V
    CC
    摆， 4.75到V
    SO
    V
    CC
    摆，V
    SO
    到V
    PFD
    （最大）
    符号
    t
    PF
    t
    FS
    t
    PU
    时间在此期间， SRAM
    被写保护V后
    CC
    通过V
    PFD
    上电。
    T
    A
    = 25℃
    Vcc的延迟之后向下剧烈变化
    以往V
    PFD
    之前， SRAM是
    写保护。
    条件
    民
    300
    10
    0
    典型值。
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    -
    单位
    ㎲
    ㎲
    ㎲
    芯片使能的恢复时间
    数据保留时间在
    没有V的
    CC
    t
    CER
    40
    80
    120
    ms
    t
    DR
    5
    -
    -
    岁月
    写保护时间
    t
    WPT
    40
    100
    150
    ㎲
    时序波形
    - 读周期NO.1 （地址访问） *
    1,2
    t
    RC
    地址
    t
    加
    t
    OH
    D
    OUT
    以前的数据有效
    数据有效
    网址： www.hbe.co.kr
    1.0版（ 2002年5月）
    6
    韩光电器有限公司

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