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HMN5128DV-85I 参数 Datasheet PDF下载

HMN5128DV-85I图片预览
型号: HMN5128DV-85I
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内容描述: 非易失性SRAM模块的4Mbit ( 512K ×8位) , 32引脚DIP, 3.3V [Non-Volatile SRAM MODULE 4Mbit (512K x 8-Bit),32Pin-DIP, 3.3V]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 182 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HMN5128DV
DC电气特性
(T
A
= T
OPR
, V
CCmin
£
V
CC
V
CCmax
)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
电源故障取消电压
待机电源电流
待机电源电流
条件
V
IN
=V
SS
到V
CC
/ CE = V
IH
或/ OE = V
IH
或/ WE = V
IL
I
OH
=-1.0mA
I
OL
= 2.0毫安
阈值电压选择
( THS = V
SS
)
/ CE = V
IH
/ CE≥ V
CC
-0.2V,
0V≤ V
IN
0.2V,
或V
IN
V
CC
-0.2V
Min.cycle,duty=100%,
工作电源电流
/ CE = V
IL
, I
I / O
=0㎃ ,
A
17
& LT ; V
IL
OR A
17
& GT ; V
IH
,
A
18
& LT ; V
IL
OR A
18
& GT ; V
IH
电源开关过电压
注意:
典型值指示器件的工作在T
A
= 25℃ .
V
SO
-
2.5
-
V
I
CC
-
-
8
I
SB1
-
-
15
mA
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
V
PFD
I
SB
-
-
2.4
-
2.8
-
典型值。
-
-
-
-
2.9
-
最大
±
2.0
±
2.0
-
0.4
3.0
0.3
单位
mA
mA
V
V
V
特征
(试验条件)
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考
水平
输出负载( CL = 30pF的+ 1TTL )
( CL = 100pF电容+ 1TTL )
包括范围和夹具电容
1)
1)
价值
0.4〜 2.2V
5纳秒
5V
(除非另有规定)
见图
1KΩ
D
OUT
1.9KΩ
+5V
D
OUT
100㎊
+5V
1.9KΩ
5㎊
1KΩ
图1 。
输出负载A
图2中。
输出负载B
网址: www.hbe.co.kr
Rev.0.0 (2/ 2002)
4
韩光电器有限公司。