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HMNR1288DV-85I 参数 Datasheet PDF下载

HMNR1288DV-85I图片预览
型号: HMNR1288DV-85I
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内容描述: 5.0或3.3V , 1兆位( 128千位×8 ) TIMEKEEPER NVSRAM [5.0 or 3.3V, 1 Mbit (128 Kbit x 8) TIMEKEEPER NVSRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 315 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HMNR1288D(V)
阅读模式AC特性
HMNR1288D
符号
参数
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
ELQX
(2)
(2)
(2)
(2)
HMNR1288DV
-85
单位
最大
nS
85
85
35
5
0
nS
nS
nS
nS
nS
25
25
nS
nS
-70
最大
85
70
70
25
5
0
20
20
读周期时间
地址有效到输出有效
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
芯片使能低到输出转换
输出使能低到输出转换
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
70
t
GLQX
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
地址转换到输出转换
5
5
nS
注: 1.Valid的工作环境温度: TA = 0 〜70 ℃; VCC = 4.5〜 5.5V或3.0〜 3.6V (除非另有说明) 。
2,CL = 5pF的。
写模式
该HMNR1288D (V )是每当/ WE (写使能)和/ CE写模式(芯片使能)是后低的状态
地址输入是稳定的。一撇一开始是从/ WE或/ CE后者发生下降沿引用。一
写的是由/ WE或/ CE较早上升沿终止。该地址必须在整个周期中保持有效。 / CE
或/我们必须返回高最少的t
EHAX
从芯片使能或T
WHAX
从写使能之前的启动
另一种读或写周期。输入数据必须是有效的吨
DVWH
之前写的结尾,并保持有效吨
WHDX
之后。
/ OE应保持高在写周期,以避免总线争用;虽然,如果输出总线已经被激活的
低/ CE和/ OE低开/我们将禁用输出吨
WLQZ
后/ WE下降。
图3.写AC波形,写使能受控
A0-A16
网址: www.hbe.co.kr
1.0版( 2002年4月)
6
韩光电器有限公司