韩光
HMNR1288D(V)
数据保持方式
凭有效V
CC
应用中， HMNR1288D （Ⅴ ）作为常规字节宽度的静态RAM 。如若电源电压
腐烂的RAM将自动取消，写保护自己当V
CC
V介于
PFD
（最大值） ，V
PFD
（分钟）窗口。
所有输出变为高阻抗，所有的输入都被视为
“
不关心“ 。
注：在写周期可能会在当前腐败的数据寻址单元电源故障，但不会危及
该内存的其他内容。在低于V的电压
PFD
（分钟），则存储器将处于写保护状态时，设置在V
CC
下降时间不大于吨以下
F
。该HMNR1288D （ V）可对V瞬态噪声尖峰回应
CC
跨到取消
时器件被采样V中的时间窗口
CC
。因此，电源线去耦，推荐。
当V
CC
低于V
SO
时，控制电路转换到动力电池内部，保存数据和供电
时钟。内部能量源将维持在HMNR1288D （V）的数据进行了至少10年的累积期间
在室温下进行。由于系统电源升至大于V
SO
时，电池被断开，并且电源被切换到
外部V
CC
。写保护一直持续到V
CC
达到V
PFD
（分）加吨
REC
（分钟）。正常RAM操作就可以恢复
t
REC
经过V
CC
超过V
PFD
（最大值）。
图5.掉电/模式AC波形
电力向下/向上AC特性
符号
t
F
(2)
参数
V
PFD
（MAX）到V
PFD
（最小值）V
CC
下降时间
V
PFD
（分钟）至V
SS
V
CC
下降时间
HMNR1288D
HMNR1288DV
民
300
10
150
10
40
5
最大
单位
uS
uS
uS
uS
t
FB
(3)
t
R
t
REC
(4)
V
PFD
（分钟）至V
PFD
（最大值）V
CC
上升时间
V
PFD
（最大值） ，以RST高
V
SS
到V
PFD
（最小值）V
CC
上升时间
200
uS
uS
t
RB
记
:
1.有效的环境工作温度：T已
A
= 0至70℃ ; V
CC
= 4.5〜 5.5V或3.0〜 3.6V （除非另有说明） 。
2. V
PFD
（MAX）到V
PFD
（分）落入小于tF的时间，可能会导致取消选择/写保护没有发生，直到200
µ
后
s
V
CC
通过V
PFD
（最小值） 。
3. V
PFD
（分钟）至V
SS
属于小于T的时间
FB
可能会导致内存中的数据损坏。
网址： www.hbe.co.kr
1.0版（ 2002年4月）
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韩光电器有限公司
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