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HMS12832Z4-10 参数 Datasheet PDF下载

HMS12832Z4-10图片预览
型号: HMS12832Z4-10
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内容描述: SRAM模块512K字节( 128K ×32位) , 64引脚SIMM / ZIP [SRAM MODULE 512KByte (128K x 32-Bit), 64PIN SIMM / ZIP]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 123 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN,OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
HMS12832M4G/Z4
等级
-0.5V到VCC + 0.5V
-0.5V至+ 7.0V
4.0W
-65oC至+ 150℃
0℃至+ 70℃
w
应力大于下"绝对最大Ratings"可能会导致永久性损坏设备。
这是一个额定值,器件运行在超过或任何其他条件标明
本说明书中的操作部分,是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
( TA = 0 〜70 ℃)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
*
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
4.5V
0
2.2
-0.5*
典型值。
5.0V
0
-
-
最大
5.5V
0
Vcc+0.5V**
0.8V
V
IL
(分钟) = -2.0V交流(脉冲宽度
为10ns ),因为我
20毫安
**
V
IH
(最小值) = VCC + 2.0V AC(脉冲宽度
为10ns ),因为我
20毫安
DC及经营特色( 1 ) ( 0
oC
TA
70摄氏度; VCC = 5V
±
10% )
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
* VCC = 5.0V ,温度= 25℃
测试条件
VIN = VSS到Vcc
/ CE = V
IH或/
OE = V
IH
或/ WE = V
IL
V
OUT
= VSS到V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
符号
IL
I
IL
0
V
OH
V
OL
-8
-8
2.4
0.4
最大
8
8
单位
µA
µA
V
V
DC及经营特色( 2 )
描述
测试条件
分钟。周期, 100 %占空比
/ CE = V
IL
, V
IN
=V
IH
或V
IL
,
I
OUT
=0mA
分钟。周期/ CE = V
IH
F = 0MHz处, / CE≥V
CC
-0.2V,
V
IN
V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
SB
I
SB1
120
20
120
20
120
20
mA
mA
I
CC
300
292
280
mA
符号
最大
-12
-15
-20
单位
电源
当前位置:工作
电源
电流:待机
网址: www.hbe.co.kr
1.0版(月/ 2002)
3
韩光电器有限公司。